Hardware/Semiconductor2013.02.04 12:48

Stuck-at fault는 fault simulator과 IC(Integrated circuit)내에 Manufactureing defect를 모방하기 위한 ATPG(Automatic test pattern generation) tool 의해 사용되는 특별한 fault model이다. 개별적인 신호와 Pin들은 Logical 1, 0, 그리고 X에 붙잡혀 있다고 가정한다. 예로, 출력은 그 동작 형태를 가진  Manufacturing defect는 특정한 테스트 패턴과 함께 찾아 질 수 있다는 것을 보증하기 위한 테스트 발생 동안 Logical 1 상태에 연결되어진다.마찬가지로 출력은 이것의 출력핀을 스위치 할 수 없는 잘못된 회로의 동작을 모델화하기 위해서 Logical 0에 묶여져 있을 것이다. 모든 결점이 stuck-at fault model을 사용하여 분석되어 질 수 있는 것은 아니다. static hazard(Branching siganl)를 위한 보정은 이 모델을 사용하여 회로를 테스트 할 수 없는 상태로 만들 수 있다. 여분의 회로들은 이 모델을 사용하여 테스트 되어 질 수 없을 것이다.


Single stuck line은 디지털 회로에서 사용되는 Fault model이다. 이것은 후 공정 테스트를 위해서 사용된다. 설계 테스트를 위한 것이 아니다. 이 모델은  디지털 회로에서 하나의 Line 또는 Node가 Logic High 또는 Logic Low에 붙잡혀 있다고 가정한다. 한 Line이 붙잡혀 질 때 이것을 fault라 부른다.

디지털 회로는 storage(Latch와 Flip flop)를 포함하지 않고 Gate들(NAND, OR, XOR, 등)을 포함하는 Gate Level 또는 조합 회로와 Storage를 포함하는 순차회로로 나뉜다.


이 Fault model은 Gate level 회로 또는 Storage Element들로 나누어 질 수 있는 순차 회로의 Block에 적용된다. 이상적으로 Gate-level 회로는 모든 가능한 입력을 적용함으로써 그리고 그 입력들이 올바른 출력으로 주어지는 지를 검사 함으로써 테스트 되어질 것이다. 그러나 이것은 이것은 완전히 유용하지 않다. 두 32-bit 수를 더하기 위한 Adder는 0.1ns/test에서 58년이 걸리는 2^64 = 1.8 * 10^19 테스트들을 요구한다. Stuck-at fault model는 만약 더욱 많은 faulty라면, 어떤 단일 Fault을 감지할 수 있는 테스트가 여러 fault들을 쉽게 찾을 수 있다는 것을 가정하여  하나의 게이트에 대해서 오직 하나의 입력이 한번에 Faulty 되어지는 것을 가정한다. 


Source:http://en.wikipedia.org/wiki/stuck-at_fault

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Hardware/Semiconductor2011.09.23 13:11
Voltage Reference

Voltage Reference란 Device의 부하, 전력 공급, 온도, 그리고 시간 변화에 관계없이 일정한 전압을 출력하기 위한 Electronic device이다. Voltage Reference는 Power supply voltage regulator, A/D converter, D/A converter, 그리고 수많은 다른 측정과 제어 시스템에 사용되어진다.

Voltage Reference를 선택하는 것에 있어서 첫번째 고려사항은 출력 전압과 초기 정밀도이다. 종종 간과하지만, 특정 Application에서 대부분 중요성을 가정하는 다양한 다른 datasheet parameter들이다. 대부분의 공통적인 voltage-reference topology는  two-terminal shunt와 three-terminal series reference 설계가 있다.

1. Two-Terminal (Shunt) Reference.
2. Three-Terminal (Series) Reference.

ref:
[1] Maxim, Understanding Voltage-Reference Topologies and Specifications.
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Hardware/Semiconductor2011.07.08 10:21
표준화된 1N-시리즈는 EIA/JEDEC에 의해서 소개됨.
이 시리즈에서 가장 인기 있는 것은 1N34A/1N270(Germanium signal), 1N914/1N4148(Silicon Signal), 1N4001-1N4007(Silicon 1A power rectifier) 그리고 1N54xx(Silicon 3A power rectifier) 이다.

European Pro Electron coding system은 Part code에 따라 두 문자로 구성된다.
첫번째 문자는 사용된 반도체 재료 : A = Germanium, B = Silicon.
두번째 문자는 일반적인 기능 : A = low-power/signal, B = Variable capacitance, X = Muliplier, Y = Rectifier, Z - Voltage reference)
ex)
AA-series : germanium low-power/signal diodes(예, AA119)
BA-series : silicon low-power/signal diodes(예, BAT18 Silicon RF Switching Diode)
BY-series : silicon rectifier diodes(예, BY127 1250V, 1A rectifier diode)
BZ-series : silicon zener diodes(예, BZY88C4V7 4.7V, zener diode)

HP diode 1901-0044 = JEDEC 1N4148
UK military diode CV448 = Mullard type OA81 = GEC type GEX23

Source: Diode, http://en.wikipedia.org/wiki/Diode, Wikipedia.
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Hardware/Semiconductor2009.12.16 01:21

Pockels이 발견한 2차 비선형 광학 현상의 일종으로 32종의 점군 중 중심 대칭성이 없는 21가지 결정 구조에 속하는 결정을 정전기장 속에 두면 결정 내부의 전자 구름이나 이온의 분포에 변형이 생기게 되어 굴절률이 변하는 것을 선형전기광학 효과라하며, 굴절률 변화량은 외부 전기장의 세기에 선형적으로 비례함. 비례 상수를 선형 전기 광학 계수라 하고 일반적으로 2차 텐서 형태로 표시됨. 전기 광학 현상에 의해 빛이 결정을 통과할 때 빛의 편광이 회전하게 되는데, 회전된 각도는 전기장의 크기에 따라 달라지므로 광 변조기에 응용됨.

Source
[1]한국 광학회, http://www.osk.or.kr
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Hardware/Semiconductor2009.10.18 02:04
ID-VGS커브에서 전류가 VGS = VT일때 0으로 급격히 떨어지지 않으며, MOS 트랜지스터가 threshold voltage 이하 전압에서 이미 일부 전도된다. 이러한 효과를 subthreshold 또는 weak inversion conduction이라 한다.
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Hardware/Semiconductor2009.10.17 14:41

Quantum efficiency
양자 효율(Quantum efficiency)이란 electron-hole 결합에서 빛이 방출할때까지의 효율을 나타내는 것으로 양자 효율은 크게 다음과 같이 두 분류로 나눌 수 있다.
-Internal quantum efficiency
-External quntum efficiency
Internal quantum efficiency는 electron과 hole이 주입되면서부터 emission이 나올 때까지의 효율을 나타내는 것이고, External quantum efficiency는 emission light를 외부로 빼낼 때 나오는 효율을 말하는 것이다.

Source : 포항공과 대학교, High efficiency of the OLED.

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